Bidhaa
Kipingamizi cha Chipu
Kipingamizi cha Chipu
Nguvu iliyokadiriwa: 2-30W;
Nyenzo za msingi: BeO, AlN, Al2O3
Thamani ya kawaida ya upinzani: 100 Ω (10-3000 Ω hiari)
Uvumilivu wa upinzani: ± 5%, ± 2%, ± 1%
Mgawo wa halijoto: ＜ 150ppm/℃
Joto la uendeshaji: -55~+150 ℃
Kiwango cha ROHS: Inafuata
Kiwango kinachotumika: Q/RFTYTR001-2022
Karatasi ya Data
| Nguvu (W) | Kipimo (kitengo: mm) | Nyenzo ya Substrate | Usanidi | Karatasi ya Data (PDF) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 2 | 2.2 | 1.0 | 0.5 | Haipo | 0.4 | BeO | KielelezoB | RFTXX-02CR1022B |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Haipo | 1.0 | AlN | KielelezoB | RFTXXN-02CR2550B | |
| 3.0 | 1.5 | 0.3 | 1.5 | 0.4 | AlN | KielelezoC | RFTXXN-02CR1530C | |
| 6.5 | 3.0 | 1.00 | Haipo | 0.6 | Al2O3 | KielelezoB | RFTXXA-02CR3065B | |
| 5 | 2.2 | 1.0 | 0.4 | 0.6 | 0.4 | BeO | KielelezoC | RFTXX-05CR1022C |
| 3.0 | 1.5 | 0.3 | 1.5 | 0.38 | AlN | KielelezoC | RFTXXN-05CR1530C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Haipo | 1.0 | BeO | KielelezoB | RFTXX-05CR2550B | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | 1.0 | 1.0 | BeO | KielelezoC | RFTXX-05CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | Haipo | 1.0 | BeO | KielelezoW | RFTXX-05CR2550W | |
| 6.5 | 6.5 | 1.0 | Haipo | 0.6 | Al2O3 | KielelezoB | RFTXXA-05CR6565B | |
| 10 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | Haipo | 1.0 | AlN | KielelezoB | RFTXXN-10CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | Haipo | 1.0 | BeO | KielelezoB | RFTXX-10CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | KielelezoC | RFTXXN-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | KielelezoC | RFTXX-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Haipo | 1.0 | BeO | KielelezoW | RFTXX-10CR2550W | |
| 20 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | Haipo | 1.0 | AlN | KielelezoB | RFTXXN-20CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | Haipo | 1.0 | BeO | KielelezoB | RFTXX-20CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | KielelezoC | RFTXXN-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | KielelezoC | RFTXX-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Haipo | 1.0 | BeO | KielelezoW | RFTXXN-20CR2550W | |
| 30 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | Haipo | 1.0 | BeO | KielelezoB | RFTXX-30CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | KielelezoC | RFTXX-30CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Haipo | 1.0 | BeO | KielelezoW | RFTXXN-30CR2550W | |
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | KielelezoC | RFTXX-30CR6363C | |
Muhtasari
Kipingamizi cha Chip, kinachojulikana pia kama Kipingamizi cha Kuweka Uso, hutumika sana katika vifaa vya kielektroniki na bodi za saketi. Sifa yake kuu ni kusakinishwa moja kwa moja kwenye ubao wa saketi kupitia teknolojia ya kuweka uso (SMD), bila kuhitaji kutoboa au kuunganishwa kwa pini.
Ikilinganishwa na vipingamizi vya kitamaduni, vipingamizi vya chipu vinavyozalishwa na kampuni yetu vina sifa za ukubwa mdogo na nguvu ya juu, na kufanya muundo wa bodi za saketi kuwa mdogo zaidi.
Vifaa vya kiotomatiki vinaweza kutumika kwa ajili ya kupachika, na vipingamizi vya chipu vina ufanisi mkubwa wa uzalishaji na vinaweza kuzalishwa kwa wingi, na kuvifanya vifae kwa ajili ya utengenezaji wa kiwango kikubwa.
Mchakato wa utengenezaji una uwezo wa kurudiarudia wa hali ya juu, ambao unaweza kuhakikisha uthabiti wa vipimo na udhibiti mzuri wa ubora.
Vipingaji vya Chip vina inductance na capacitance ya chini, na kuvifanya kuwa bora katika upitishaji wa mawimbi ya masafa ya juu na matumizi ya RF.
Muunganisho wa kulehemu wa vipingamizi vya chip ni salama zaidi na hauathiriwi sana na msongo wa mitambo, kwa hivyo uaminifu wao kwa kawaida huwa juu kuliko ule wa vipingamizi vya kuziba.
Hutumika sana katika vifaa mbalimbali vya kielektroniki na bodi za saketi, ikiwa ni pamoja na vifaa vya mawasiliano, vifaa vya kompyuta, vifaa vya elektroniki vya watumiaji, vifaa vya elektroniki vya magari, n.k.
Wakati wa kuchagua vipingamizi vya chipu, ni muhimu kuzingatia vipimo kama vile thamani ya upinzani, uwezo wa kutoweka kwa nguvu, uvumilivu, mgawo wa halijoto, na aina ya ufungashaji kulingana na mahitaji ya matumizi.
